MT29C4G96MAZBACJG-5 WT TR是一款由美光科技制造的高集成度存储器芯片，采用168-VFBGA封装。它将4Gb NAND闪存与4Gb低功耗移动DRAM（LPDRAM）集成于单一封装内，形成了紧凑的多芯片存储解决方案。
该器件NAND闪存架构为256M x 16位，LPDRAM架构为128M x 32位，通过并联接口连接，LPDRAM时钟频率可达200MHz。其核心工作电压范围为1.7V至1.95V，工作温度范围为-25°C至85°C，专为对空间、功耗和性能有严格要求的嵌入式移动应用而优化。
此芯片适用于需要将非易失性存储与高速工作内存紧密结合的设计，能够有效简化PCB布局，降低系统功耗，并提升整体可靠性，是早期智能移动设备及嵌入式系统的典型存储配置之一。
- 型号:MT29C4G96MAZBACJG-5 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:168-VFBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 4GBIT PAR 168VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
- 存储容量:4Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
- 存储器组织:256M x 16（NAND），128M x 32（LPDRAM）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:168-VFBGA
- 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12）
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