MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G 是美光科技生产的一款2Gb容量、采用并行接口的SLC NAND闪存。该器件以256M x 8位的结构组织,提供快速的数据访问,其页编程和随机读取时间典型值均为30ns,并在1.7V至1.95V的低电压范围内工作,有助于优化系统能效。
此芯片的核心卖点在于其卓越的可靠性与环境适应性。作为通过AEC-Q100认证的汽车级产品,它能够在-40°C至105°C的极端温度下稳定运行,满足汽车电子和工业应用对元器件高可靠性的严格要求。其采用的SLC NAND技术进一步保障了出色的数据保持能力和更长的编程/擦除寿命。
器件采用63-VFBGA小型化封装,适合空间紧凑的表面贴装设计。这些特性使其成为汽车ADAS、仪表盘、工业控制及通信设备等需要高性能、高耐久性非易失存储解决方案领域的理想选择。
- 型号:MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA(9x11)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND(SLC)
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字,页:30ns
- 访问时间:30 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C(TA)
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA(9x11)
- 想获取MT29F2G08ABBGAH4-AAT:G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料