MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR 是美光科技生产的一款4Gb容量移动低功耗DDR SDRAM芯片。该器件采用128M x 32位的组织架构和并联接口，核心优势在于其低电压操作（1.7V-1.95V）与200MHz时钟频率的结合，在提供必要数据带宽的同时实现了优异的能效比。
其物理特性包括采用节省空间的168-WFBGA表面贴装封装，并支持-25°C至85°C的宽工作温度范围，确保了在紧凑型及环境适应性要求高的嵌入式设计中的可靠性。关键时序参数包括5ns的访问时间和15ns的写周期时间，保障了数据存取的高速响应。
- 型号:MT46H128M32L2KQ-5 WT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:168-WFBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 168WFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:128M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:5 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:168-WFBGA
- 供应商器件封装:168-WFBGA（12x12）
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