MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR

MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR是美光科技推出的一款384Gb（48GB）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性闪存技术，提供高达267MHz的时钟频率，支持2.7V至3.6V的宽电压供电，确保了高速数据访问下的稳定性和能效。

其采用132-VBGA表面贴装封装和卷带包装，适用于自动化生产。0°C至70°C的工作温度范围使其能满足从消费级到部分工业级嵌入式系统的环境要求。该芯片的核心卖点在于其高密度存储、高速接口和工业级的可靠性设计，旨在为需要大容量、非易失性数据存储的应用提供坚实的基础。

• 制造商产品型号：MT29F384G08EBCBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 384GBIT PAR 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：384Gb（48G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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