MT46H128M16LFB7-5 WT:B是美光科技生产的一款2Gb容量移动低功耗DDR SDRAM。该器件采用128M x 16位的组织架构，通过并联接口与主机通信，在200MHz时钟频率下运行，实现高效的数据吞吐。
其核心优势在于低功耗设计，工作电压范围为1.7V至1.95V，并采用60-VFBGA紧凑型封装，非常适合空间和功耗受限的嵌入式及便携式应用。器件提供5ns的快速访问时间，工作温度范围覆盖-25°C至85°C，确保了在苛刻环境下的可靠运行。
- 型号:MT46H128M16LFB7-5 WT:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-VFBGA（10x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:5 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-VFBGA
- 供应商器件封装:60-VFBGA（10x10）
- 想获取MT46H128M16LFB7-5 WT:B的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
