MT29F64G08AECDBJ4-6:D

MT29F64G08AECDBJ4-6:D 是美光科技生产的一款64Gb（8G x 8）容量、采用并联接口的NAND闪存芯片。该器件基于非易失性闪存技术，工作电压为2.7V至3.6V，封装形式为132-VBGA，支持表面贴装，适用于商业温度范围（0°C至70°C）内的各类嵌入式存储应用。

其核心优势在于高达166MHz的时钟频率与并行数据接口相结合，能够提供显著的数据传输带宽，满足对读写速度有较高要求的场景。8位宽的数据总线与标准NAND命令集使其易于与多种主控芯片集成，适合用于存储固件、媒体数据或执行代码。这款芯片体现了美光在并行NAND存储领域的技术积累，主要面向工业控制、网络设备及需要大容量、可靠存储的传统嵌入式系统设计。

• 型号:MT29F64G08AECDBJ4-6:D
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:132-VBGA（12x18）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 64GBIT PAR 132VBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:闪存 - NAND
• 存储容量:64Gb
• 存储器组织:8G x 8
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:166 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:132-VBGA
• 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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