MT41J512M8RH-107:E是一款由美光科技生产的4Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用78-TFBGA表面贴装封装。该器件基于DDR3技术，时钟频率为933MHz，可实现1866 MT/s的数据传输速率，提供高带宽的数据处理能力。
其核心架构为512M x 8位组织，采用并联接口，工作电压为1.5V（兼容1.35V低电压模式），访问时间为20ns，在性能与功耗之间取得了良好平衡。该芯片适用于需要高速、易失性存储的各类嵌入式系统和网络设备。
- 型号:MT41J512M8RH-107:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x10.5）
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