MT44K64M18RB-107E:A

MT44K64M18RB-107E:A是美光科技推出的一款1.125Gb容量RLDRAM 3存储器芯片，采用64Mb x 18位宽并联接口。该器件专为需要极低延迟和高带宽的应用而优化，其核心工作频率可达933MHz，并实现了仅8ns的快速访问时间。

芯片在1.28V至1.42V电压下工作，采用168-TBGA表面贴装封装，确保在0°C至95°C结温范围内的高可靠性。这些特性使其成为网络通信、高速数据缓冲、雷达信号处理等对实时性能要求严苛领域的理想选择，能够显著提升系统的数据处理吞吐量和响应速度。

• 型号:MT44K64M18RB-107E:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:最后售卖
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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