MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR

MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量、采用移动LPDDR4技术的高速易失性存储器（DRAM）。该芯片采用256M x 32位的内存组织架构，运行时钟频率达到1.866GHz，能够为系统提供极高的数据传输带宽。

其核心优势在于实现了高性能与低功耗的出色结合。器件采用0.6V和1.1V的双电压供电设计，并支持-30°C至105°C的宽工作温度范围，确保了在严苛环境下的稳定运行与优异的能效表现。该芯片采用200球WFBGA小型化封装，专为空间紧凑的现代移动和嵌入式设备而优化。

• 型号:MT53E256M32D2DS-053 AAT:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:200-WFBGA（10x14.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:256M x 32
• 存储器接口:-
• 时钟频率:1.866 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.1V
• 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q100
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:200-WFBGA
• 供应商器件封装:200-WFBGA（10x14.5）
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