MT44K64M18RB-083F:A

MT44K64M18RB-083F:A是美光科技基于RLDRAM 3技术开发的一款1.125Gb易失性DRAM。该器件采用64Mb x 18的存储结构，通过并联接口提供高达1200MHz的时钟频率，其核心访问时间仅为6.67ns，旨在为高带宽应用提供极低延迟的数据访问解决方案。

芯片在1.28V至1.42V的电压范围内工作，采用168-TBGA封装，支持表面贴装，工作温度范围为0°C至95°C（TC）。这些参数共同构成了其高速度、高可靠性的核心卖点，使其特别适用于对时序要求苛刻的网络基础设施和通信设备。

• 型号:MT44K64M18RB-083F:A
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1.125GBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:RLDRAM 3
• 存储容量:1.125Gb
• 存储器组织:64M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.2 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:6.67 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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