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MICRON
MT44K32M18RB-107E:B TR的图片

MT44K32M18RB-107E:B TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
原厂封装:封装:168-BGA(13.5x13.5)
优势价格,MT44K32M18RB-107E:B TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT44K32M18RB-107E:B TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT44K32M18RB-107E:B TR是美光科技生产的一款576Mb(32M x 18)容量、并联接口的DRAM芯片。该器件采用168-TBGA封装,以卷带形式供货,核心优势在于其高达933MHz的时钟频率与8ns的快速访问时间,能够为系统提供极高的数据吞吐带宽。

其工作电压范围为1.28V至1.42V,在保证高性能运算的同时兼顾了能效。产品支持0°C至95°C(TC)的工业级工作温度范围,确保了在严苛环境下的稳定性和可靠性,适用于对速度和环境适应性有双重要求的网络、工业及嵌入式应用场景。

  • 型号:MT44K32M18RB-107E:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:168-BGA(13.5x13.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:最后售卖
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:DRAM
  • 存储容量:576Mb
  • 存储器组织:32M x 18
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:8 ns
  • 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:168-TBGA
  • 供应商器件封装:168-BGA(13.5x13.5)
  • 想获取MT44K32M18RB-107E:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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