MT41K512M4DA-125:M是美光科技生产的一款2Gb容量、采用DDR3L技术的并行接口SDRAM。该器件以512M x 4的内部组织架构，提供了高效的数据存取路径。
其核心卖点在于优异的能效表现，工作电压低至1.283V~1.45V，相比标准DDR3显著降低了动态功耗与静态功耗。同时，它支持800MHz时钟频率，实现1600MT/s的数据传输速率，并具备13.75ns的快速访问时间，在低电压下仍能保障高性能的数据吞吐能力。
该芯片采用78-TFBGA小型化封装，支持表面贴装，工作温度范围为0°C至95°C，适用于空间紧凑且对可靠性有要求的嵌入式、网络通信及便携式计算设备。
- 型号:MT41K512M4DA-125:M
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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