MT42L32M32D1HE-18 IT:D TR是美光科技生产的一款1Gb容量、采用移动LPDDR2技术的并行接口DRAM。该器件采用32M x 32位的组织架构，运行时钟频率高达533MHz，并具备15ns的快速写周期时间，能够满足高性能嵌入式系统对内存带宽和响应速度的要求。
其核心优势在于极低的功耗与高可靠性。工作电压范围为1.14V至1.3V，有效优化了能效。同时，作为AEC-Q100认证的汽车级产品，它可在-40°C至85°C的宽温度范围内稳定工作，确保在严苛的汽车与工业环境中的长期可靠性。器件采用134-VFBGA小型化封装，以表面贴装形式供货，适合空间紧凑、对可靠性有严苛要求的应用设计。
- 型号:MT42L32M32D1HE-18 IT:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:134-VFBGA（10x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:32M x 32
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.3V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:134-VFBGA
- 供应商器件封装:134-VFBGA（10x11.5）
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