MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR

MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR 是美光科技生产的一款128Gb容量NAND闪存芯片，采用并行接口技术。其核心架构基于MLC NAND技术，组织为16G x 8位，旨在提供高密度数据存储解决方案。

该器件的显著技术特点是支持高达267MHz的时钟频率，配合并联接口，可实现高速数据读写操作，满足对带宽要求严格的应用需求。其工作电压范围为2.7V至3.6V，并能在0°C至70°C的环境温度下稳定工作，适用于广泛的商用嵌入式系统。

• 制造商产品型号：MT29F128G08CBCEBRT-37B:E TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128GBIT PARALLEL 267MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：128Gb（16G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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