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MICRON
MT41K64M16TW-107:J TR的图片

MT41K64M16TW-107:J TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(8x14)
优势价格,MT41K64M16TW-107:J TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K64M16TW-107:J TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K64M16TW-107:J TR是美光科技推出的一款1Gb容量DDR3L SDRAM芯片,采用64M x 16的存储组织架构。该器件基于先进的DDR3L技术,核心工作电压低至1.35V(范围1.283V~1.45V),在提供高带宽的同时显著优化了系统功耗。

其性能核心在于高达933MHz的时钟频率,可实现1866 MT/s的数据传输速率,并具备20ns的快速访问时间。芯片采用96-TFBGA封装,支持0°C至95°C的宽工作温度范围,并具备完善的信号完整性管理功能,如片上终结(ODT),确保了在高速运行下的稳定性和可靠性,主要面向网络、工业、汽车电子及高性能嵌入式系统等对能效和可靠性有严格要求的应用领域。

  • 型号:MT41K64M16TW-107:J TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(8x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:64M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:20 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)
  • 想获取MT41K64M16TW-107:J TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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