MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR

MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR是美光科技推出的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用TLC技术与并行接口。其核心卖点在于将高密度存储（64G x 8组织架构）与1.7V~1.95V的低电压操作相结合，在提供大容量非易失性存储的同时，有助于优化系统能效。

该器件采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级环境。其并行接口设计支持高速数据吞吐，适合需要大块数据连续读写的嵌入式存储应用，为设计人员提供了一个可靠的高容量闪存解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F512G08EBHBFJ4-T:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLSH 512GBIT PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NAND（TLC）
• 存储容量：512Gb（64G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：1.7V ~ 1.95V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
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