MT41K512M8DA-125:P 是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片。该器件采用512M x 8位的组织架构,通过并联接口运行,其核心特性在于高达800MHz(1600MT/s)的数据传输速率与1.35V的低工作电压,在提供高带宽数据访问能力的同时,显著降低了系统功耗。
芯片采用78-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至95°C(TC),访问时间为13.5ns。这些参数使其成为对能效和实时性有要求的嵌入式系统、网络通信及工业控制应用的理想内存解决方案,能够有效满足数据缓冲和高速处理的存储需求。
- 型号:MT41K512M8DA-125:P
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA(8x10.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字,页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA(8x10.5)
- 想获取MT41K512M8DA-125:P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料