MT41K512M8DA-107 V:P TR是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3L SDRAM存储器。该器件采用512M x 8的存储结构，通过并联接口与主控连接，其核心时钟频率为933MHz，可实现高达1866 MT/s的数据传输速率，为系统提供充沛的内存带宽。
该芯片工作于1.283V至1.45V的低电压范围，显著降低了动态和静态功耗，符合现代电子设备对能效的严格要求。它采用78-TFBGA小型化封装，支持表面贴装，工作温度范围覆盖0°C至95°C，具备良好的可靠性和环境适应性，适用于空间受限且需持续稳定运行的各类嵌入式与网络应用场景。
- 型号:MT41K512M8DA-107 V:P TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:不适用于新设计
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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