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MICRON
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR的图片

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR是美光科技生产的一款8Gb容量Mobile LPDDR4 SDRAM存储器。该芯片采用256M x 32的存储结构,运行时钟频率可达1600MHz,工作电压为1.1V,在提供高带宽数据访问能力的同时,显著优化了功耗表现,专为满足移动和嵌入式设备对性能与能效的双重需求而设计。

器件采用200-WFBGA紧凑型封装,支持表面贴装,适用于空间受限的设计。其宽工作温度范围(-40°C ~ 125°C TC)确保了在苛刻环境下的可靠性。该产品具备移动LPDDR4标准的高级电源管理功能,适用于智能手机、平板、车载系统等高要求的应用场景。

  • 型号:MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT 1.6GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:256M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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