MT41K2G4TRF-125:E TR

MT41K2G4TRF-125:E TR 是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片。该器件采用并联接口，封装形式为78-TFBGA，支持表面贴装，其核心组织架构为2G x 4，提供了高效的数据存储单元。

该芯片的关键技术优势在于其低电压DDR3L（1.283V~1.45V）设计与高达800MHz（1600 MT/s）的数据传输速率的结合，在提供高带宽性能的同时，显著降低了系统功耗。其13.5ns的访问时间确保了快速的数据响应能力，工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），适用于各种环境要求。

作为一款易失性DRAM存储器，它主要面向需要高速、大容量缓冲内存的嵌入式系统、网络通信设备及工业控制应用，是构建高性能、低功耗计算平台的核心存储组件之一。

• 型号:MT41K2G4TRF-125:E TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（9.5x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:800 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（9.5x11.5）
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