MT41K2G4SN-125:A是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM存储器。该器件采用2G x 4的内部组织架构，通过并联接口提供高速数据访问，其核心时钟频率为800MHz，可实现高达1600 MT/s的数据传输速率。
该芯片的核心优势在于其1.35V的低电压操作，这使其功耗显著低于标准DDR3产品，非常契合现代电子系统对能效的严苛要求。同时，其13.5ns的访问时间和0°C至95°C的宽工作温度范围，保证了在各类环境下的快速响应与稳定运行。器件采用78-TFBGA表面贴装封装，适用于空间受限的高密度PCB设计。
- 型号:MT41K2G4SN-125:A
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x13.2）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:2G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.5 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x13.2）
- 想获取MT41K2G4SN-125:A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
