MT41K2G4RKB-107:P

MT41K2G4RKB-107:P 是美光科技推出的一款8Gb容量DDR3L SDRAM存储器，采用78-TFBGA封装。该器件基于TwinDie技术，在单封装内集成双裸片，提供2G x 4的组织结构，通过并联接口实现高效数据交换。

其核心特性在于实现了高性能与低功耗的优化结合。器件运行时钟频率为933MHz，支持高达1866 MT/s的数据传输速率，同时工作电压低至1.283V~1.45V（DDR3L标准），显著降低了系统功耗。其访问时间为20ns，写周期时间为15ns，确保了快速的数据响应能力。

该芯片工作温度范围为0°C至95°C（TC），采用表面贴装形式，适用于要求高密度、高可靠性及宽温运行环境的各类嵌入式系统、网络通信和计算应用。

• 型号:MT41K2G4RKB-107:P
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3L
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
• 想获取MT41K2G4RKB-107:P的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料