MT29F128G08CECBBH1-10:B是美光科技生产的一款128Gb（16G x 8）容量NAND闪存芯片，采用并联接口，属于非易失性存储器。其核心架构基于成熟的MLC NAND技术，在单芯片内集成了高密度存储阵列。
该器件支持高达100MHz的时钟频率，配合并行数据总线，可实现高速数据读写。其工作电压范围为2.7V至3.6V，采用100-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于对存储性能和可靠性有明确要求的商业及工业嵌入式系统。
- 型号:MT29F128G08CECBBH1-10:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 128GBIT PAR 100VBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:128Gb
- 存储器组织:16G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-VBGA
- 供应商器件封装:100-VBGA（12x18）
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