MT41K256M8DA-125 AAT:K TR是美光科技推出的一款2Gb容量、汽车级（AEC-Q100）DDR3L SDRAM存储器。该器件采用256M x 8的组织结构，提供高达800MHz的时钟频率（1600 MT/s数据速率），能够满足高速数据处理应用对带宽的需求。
其核心优势在于实现了高性能与低功耗的融合。工作电压低至1.283V~1.45V（DDR3L），有效降低了系统功耗。同时，它具备-40°C至105°C的宽工作温度范围，并通过了汽车级可靠性认证，确保了在严苛环境下的长期稳定运行。该芯片采用78-TFBGA封装，支持表面贴装，适用于对空间和可靠性有高要求的嵌入式设计。
- 型号:MT41K256M8DA-125 AAT:K TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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