MT41K256M4JP-15E:G

MT41K256M4JP-15E:G 是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用256M x 4的位宽配置和并联接口。该器件基于DDR3技术，其I/O时钟频率达到667MHz，实现1333 MT/s的数据传输速率，并具备13.5ns的快速访问时间，为数据密集型应用提供了高带宽支持。

该芯片工作电压范围为1.283V至1.45V，体现了DDR3标准的低功耗优势，并支持0°C至95°C（TC）的扩展工作温度范围。其采用78-TFBGA表面贴装封装，集成了如片上终结（ODT）和温度补偿自刷新等高级功能，旨在优化信号完整性与系统级功耗管理，适用于网络通信、嵌入式控制等对性能和可靠性要求严苛的领域。

• 型号:MT41K256M4JP-15E:G
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:667 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:13.5 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
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