MT41K256M16TW-107 AT:P TR是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用256M x 16的存储组织架构。该器件基于低功耗的DDR3L技术，核心工作电压低至1.283V~1.45V，在933MHz的时钟频率下可实现高达1866MT/s的数据传输速率，并具备20ns的快速访问时间。
该芯片采用96-TFBGA封装，支持表面贴装，其宽泛的工作温度范围（-40°C至95°C）满足了工业级应用对可靠性的要求。其并联接口设计符合标准DDR3L规范，适用于需要中等容量、高带宽且对功耗敏感的各种嵌入式系统和网络通信设备。
- 型号:MT41K256M16TW-107 AT:P TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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