MT41K256M16HA-125:E是美光科技推出的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片。该器件采用256M x 16位的组织架构，基于并联接口，封装于96-TFBGA中，适用于表面贴装工艺。
其核心优势在于结合了高性能与低功耗。芯片运行时钟频率为800MHz，实现1600MT/s的数据传输速率，提供高带宽数据通道。同时，作为DDR3L器件，其工作电压低至1.283V~1.45V，显著降低了系统功耗。该芯片设计工作温度范围为0°C至95°C（TC），访问时间为13.75ns，能够满足网络通信、工业控制及嵌入式系统等应用对高速、稳定内存的需求。
- 型号:MT41K256M16HA-125:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
- 想获取MT41K256M16HA-125:E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
