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MICRON
MT41K1G8SN-125:A的图片

MT41K1G8SN-125:A

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(9x13.2)
优势价格,MT41K1G8SN-125:A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K1G8SN-125:A的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K1G8SN-125:A是美光科技推出的一款8Gb容量DDR3L SDRAM芯片,采用78-TFBGA封装。该器件基于1G x 8位的存储架构,通过并联接口实现高速数据通信,其核心优势在于实现了高性能与低功耗的紧密结合。

芯片工作电压低至1.283V~1.45V(DDR3L标准),在800MHz时钟频率下可实现高达1600MT/s的数据传输速率,并具备13.75ns的快速访问时间。这些参数使其能够为网络设备、计算模块及工业控制系统等应用提供高效、可靠的大容量易失性存储解决方案。

  • 型号:MT41K1G8SN-125:A
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(9x13.2)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:8Gb
  • 存储器组织:1G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.75 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(9x13.2)
  • 想获取MT41K1G8SN-125:A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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