MT41K1G8RKB-107:P是美光科技生产的一款8Gb容量DDR3L SDRAM存储器。该器件采用1G x 8位组织架构，基于先进的DDR3L技术，在提供高达933MHz时钟频率（等效1866 MT/s数据速率）的同时，将工作电压降至1.35V典型值，实现了高性能与低功耗的出色结合。
其20ns的访问时间和并行接口确保了快速的数据响应与高带宽传输。该芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C，具备良好的可靠性，适用于网络通信、嵌入式计算及工业控制等对内存性能和能效有严格要求的应用场景。
- 型号:MT41K1G8RKB-107:P
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x10.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:933 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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