MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR

MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR是美光科技推出的一款64Gb容量并行接口NAND闪存芯片。它采用非易失性存储技术，配置为8G x 8位组织架构，并支持高达167MHz的时钟频率，能够实现高速的数据传输，满足对带宽有严格要求的应用。

该器件工作在2.7V至3.6V的宽电压范围内，确保了与主流3.3V逻辑系统的兼容性，其操作温度范围覆盖0°C至70°C，适用于广泛的商业应用环境。作为有源状态的成熟产品，它以卷带形式提供，便于自动化生产贴装。

• 制造商产品型号：MT29F64G08CBCGBSX-37BES:G TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 64GBIT PARALLEL 167MHZ
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：64Gb（8G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：167MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：-
• 产品封装：-
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