MT41K1G4THD-187E:D是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用1G x 4的并行架构。该器件基于533MHz时钟频率运行，可实现高达1066MT/s的数据传输速率，其13.125ns的快速访问时间确保了高效的数据处理能力。
芯片工作电压范围为1.283V至1.45V，在提供高性能的同时兼顾了功耗控制。它采用78-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），适用于要求高可靠性和稳定性的嵌入式及网络通信应用场景。
- 型号:MT41K1G4THD-187E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:1G x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.125 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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