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MT29F512G08EBLEEJ4-T:E TR的图片

MT29F512G08EBLEEJ4-T:E TR

美光(MICRON)图标
集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
制造厂商：美光(MICRON)
功能简述：IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
原厂封装：封装:132-VBGA（12x18）
优势价格，MT29F512G08EBLEEJ4-T:E TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F512G08EBLEEJ4-T:E TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供
  • 型号:MT29F512G08EBLEEJ4-T:E TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:132-VBGA（12x18）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND（TLC）
  • 存储容量:512Gb
  • 存储器组织:64G x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字，页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:2.6V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:132-VBGA
  • 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
  • 想获取MT29F512G08EBLEEJ4-T:E TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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