MT41K128M8JP-125:G是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用128M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率为800MHz，可实现高达1600MT/s的数据传输速率，访问时间为13.75ns，能够满足对内存带宽有较高要求的应用。
其核心优势在于采用了低电压DDR3L技术，工作电压范围为1.283V~1.45V，在提供高性能的同时显著降低了功耗。芯片采用78-TFBGA封装，表面贴装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于各类嵌入式系统和工业环境，为设计提供了可靠的高速数据存储解决方案。
- 型号:MT41K128M8JP-125:G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（8x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:管件
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（8x11.5）
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