EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR

EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR是一款由美光科技制造的4Gb容量移动LPDDR2 SDRAM。该器件采用128M x 32位的组织架构，通过533MHz的时钟频率和并联接口，实现了高带宽的数据传输能力，适用于处理密集型应用。

其核心优势在于优异的功耗控制，工作电压支持1.14V至1.95V的宽范围，专为延长电池续航的便携式设备而优化。同时，其表面贴装型134-WFBGA封装和-40°C至85°C的工业级工作温度范围，确保了在紧凑空间及恶劣环境下的高可靠性与稳定性。

• 型号:EDB4432BBBJ-1DAIT-F-R TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:134-FBGA（10x11.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 134FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
• 存储容量:4Gb
• 存储器组织:128M x 32
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:533 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:134-WFBGA
• 供应商器件封装:134-FBGA（10x11.5）
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