MT41K128M16JT-125 V:K是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用128M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口，工作时钟频率为800MHz，可实现高达1600 MT/s的数据传输速率，其访问时间为13.75ns，能够提供高效的数据读写性能。
该芯片的核心优势在于其低电压特性，工作电压范围为1.283V至1.45V，相比标准DDR3显著降低了动态功耗与静态功耗，特别适合对能效有严格要求的嵌入式应用。器件采用96-TFBGA封装，支持表面贴装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在工业级环境下的稳定性和可靠性。
- 型号:MT41K128M16JT-125 V:K
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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