MT41K128M16JT-125:K是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用128M x 16位的组织架构。该器件核心优势在于其800MHz的时钟频率，配合DDR技术可实现高达1600MT/s的数据传输速率，为系统提供卓越的内存带宽，有效支持数据密集型应用。
该芯片工作于1.35V低电压（范围1.283V~1.45V），显著降低了动态和静态功耗，符合现代电子设备对高能效的设计要求。其13.75ns的访问时间确保了快速响应，而0°C至95°C的宽工作温度范围和96-TFBGA表面贴装封装，则使其能够稳定集成于各种空间受限且环境要求严苛的嵌入式及工业应用中。
- 型号:MT41K128M16JT-125:K
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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