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MICRON
MT41K128M16JT-125 AUT:K的图片

MT41K128M16JT-125 AUT:K

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
原厂封装:封装:96-FBGA(8x14)
优势价格,MT41K128M16JT-125 AUT:K的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41K128M16JT-125 AUT:K的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41K128M16JT-125 AUT:K是美光科技推出的一款2Gb容量DDR3L SDRAM芯片,采用128M x 16位架构。该器件基于先进的DDR3L技术,在800MHz时钟频率下可实现1600MT/s的数据传输速率,有效提升系统内存带宽。

其核心优势在于1.283V至1.45V的低工作电压,显著降低了功耗,同时支持-40°C至125°C的宽工作温度范围,确保了在恶劣环境下的高可靠性。芯片采用96-TFBGA封装,具备13.75ns的访问时间,接口为并联式,符合JEDEC标准。

这些特性使其成为工业控制、网络通信、汽车电子及高性能嵌入式系统等领域中,对性能、能效和稳定性有严格要求的理想内存解决方案。

  • 型号:MT41K128M16JT-125 AUT:K
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:96-FBGA(8x14)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3L
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:800 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:13.75 ns
  • 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:96-TFBGA
  • 供应商器件封装:96-FBGA(8x14)
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