MT29F8G08ABABAWP-AATX:B TR是美光科技生产的一款8Gb容量并行接口NAND闪存芯片。其核心架构为1G x 8位组织，采用非易失性存储技术，确保数据在断电后依然保持。器件工作电压为2.7V~3.6V，兼容标准3.3V系统，并支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，适用于环境要求严苛的应用。
该芯片采用48-TFSOP表面贴装封装，支持卷带包装，便于自动化生产。其并行接口设计旨在优化数据吞吐性能，适用于对存储带宽和可靠性有明确需求的嵌入式系统。尽管产品已停产，但其成熟稳定的特性使其在工业控制、汽车电子及网络设备等领域的存量设计中仍具应用价值。
- 型号:MT29F8G08ABABAWP-AATX:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:1G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
- 想获取MT29F8G08ABABAWP-AATX:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
