MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B是美光科技生产的一款大容量并行接口NAND闪存芯片，提供高达1.5Tb（192GB）的非易失性存储空间，采用192G x 8的位宽组织。该芯片基于闪存技术，通过并联接口与主机通信，支持267MHz的时钟频率，旨在实现高速数据读写。
其工作电压范围为2.7V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度适应标准的0°C至70°C商业环境。这些参数共同构成了其高密度、高带宽存储的核心特性，主要面向需要集成海量数据存储且对传输速率有要求的企业级存储与数据中心应用。
- 型号:MT29F1HT08EMCBBJ4-37:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1.5TBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1.5Tb
- 存储器组织:192G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:267 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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