MT41J64M16JT-125E:G是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用64M x 16位的组织架构。该器件基于DDR3技术标准，运行时钟频率达800MHz，实现1600MT/s的数据速率，为系统提供了高带宽的并行数据访问能力。
其工作电压范围为1.425V~1.575V，在提升性能的同时注重能效。芯片采用96-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围（TC）为0°C至95°C，适用于要求严苛的嵌入式与工业环境。作为一款并联接口的易失性DRAM，它主要用于需要高速数据缓冲和处理的网络、通信及计算设备中。
- 型号:MT41J64M16JT-125E:G
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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