MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E是美光科技生产的一款1Gb容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用128M x 8位的组织架构，基于非易失性存储技术，确保在断电情况下数据持久保存。其核心优势在于支持1.7V~1.95V的宽电压供电以及-40°C至85°C的工业级工作温度范围，能够适应严苛的环境要求。
芯片采用63-VFBGA表面贴装封装，集成并联接口，便于系统集成与高速数据传输。这些特性使其成为工业控制、嵌入式系统及网络设备等领域中，用于固件、配置参数或数据记录的可靠存储解决方案。设计人员需根据其停产状态妥善规划物料供应。
- 型号:MT29F1G08ABBEAH4-AITX:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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