MT40A256M16GE-083E AAT:B TR是美光科技生产的一款4Gbit容量DDR4 SDRAM芯片。该器件采用256M x 16的存储组织架构和并联接口，核心优势在于其高达1.2GHz的运行时钟频率，能够提供出色的数据传输带宽，满足高性能计算对内存速度的要求。
其工作电压范围为1.14V至1.26V，有助于实现更低的系统功耗。同时，该芯片支持-40°C至105°C的宽工作温度范围，并采用96-TFBGA表面贴装封装，这些特性使其能够可靠地应用于对环境和可靠性有严苛要求的工业及汽车电子领域。
- 型号:MT40A256M16GE-083E AAT:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 1.2GHZ 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.2 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
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