MT41J512M4HX-187E:D 是美光科技推出的一款2Gb容量DDR3 SDRAM存储器。该器件采用512M x 4的组织结构，提供标准的并联接口，封装于78-TFBGA中，适用于表面贴装工艺。
其核心性能参数包括高达533MHz的时钟频率（对应1066 MT/s的数据速率）以及13.125ns的访问时间，确保了高速数据传输与低延迟访问。器件工作电压范围为1.425V至1.575V，符合低功耗设计趋势，并支持0°C至95°C（TC）的工作温度范围，满足多种应用环境的需求。
- 型号:MT41J512M4HX-187E:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:512M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.125 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（9x11.5）
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