MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G TR是美光科技推出的一款2Gb容量、采用并行接口的SLC NAND闪存芯片，封装为63-VFBGA。该器件核心优势在于其汽车级（Automotive, AEC-Q100）认证，确保在-40°C至105°C的极端温度范围内保持高可靠性运行，满足严苛的汽车与工业环境需求。
其存储结构为256M x 8位，提供快速的数据存取性能，访问时间与写周期时间均为20ns。工作电压范围为2.7V至3.6V，兼顾了性能与功耗的平衡。这些特性使其成为对数据完整性、耐久性及环境适应性有高标准要求的车载电子、工业控制等关键应用的可靠存储解决方案。
- 型号:MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（SLC）
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:20ns
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 105°C（TA）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
- 想获取MT29F2G08ABAGAH4-AAT:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
