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MICRON
MT41J128M8JP-15E:G TR的图片

MT41J128M8JP-15E:G TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(8x11.5)
优势价格,MT41J128M8JP-15E:G TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41J128M8JP-15E:G TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41J128M8JP-15E:G TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM存储器。该器件采用128M x 8位的组织架构,通过并联接口提供数据访问,其I/O时钟频率最高可达667MHz,实现1333MT/s的数据传输速率,能够满足中等带宽应用的需求。

该芯片工作于1.5V标准电压,支持片上终端电阻(ODT)和ZQ校准功能,有助于优化信号完整性并降低系统设计复杂度。其采用78-TFBGA表面贴装封装,工作温度范围为0°C至95°C,适用于要求一定环境适应性的场合。需要注意的是,该产品目前已处于停产状态。

  • 型号:MT41J128M8JP-15E:G TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(8x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(8x11.5)
  • 想获取MT41J128M8JP-15E:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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