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MICRON
MT41J128M8JP-15E AIT:G TR的图片

MT41J128M8JP-15E AIT:G TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(8x11.5)
优势价格,MT41J128M8JP-15E AIT:G TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT41J128M8JP-15E AIT:G TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT41J128M8JP-15E AIT:G TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM芯片,采用128M x 8的并行架构。该器件核心优势在于其667MHz的时钟频率,可实现高达1333MT/s的数据传输速率,为系统提供充沛的内存带宽。

该芯片工作电压为1.5V±5%,在保证性能的同时兼顾能效。其-40°C至95°C的宽工作温度范围以及78-TFBGA表面贴装封装,使其能够稳定运行于各种严苛的工业与嵌入式环境。尽管产品状态为停产,但其经市场验证的DDR3技术方案,在诸多对可靠性和带宽有明确要求的应用中仍是稳健的选择。

  • 型号:MT41J128M8JP-15E AIT:G TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(8x11.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR3
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:128M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(8x11.5)
  • 想获取MT41J128M8JP-15E AIT:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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