MT41J128M16HA-125:D是美光科技生产的一款2Gb容量DDR3 SDRAM，采用128M x 16位的组织架构，适用于并行接口的高带宽应用。该器件支持800MHz时钟频率，实现1600 MT/s的数据传输速率，电压供应为1.5V（±5%容差），在提升性能的同时优化了功耗表现。
其访问时间为13.75ns，工作温度范围为0°C至95°C（TC），采用96-TFBGA表面贴装封装，适合紧凑的电路板设计。该芯片具备标准的DDR3功能集，包括片上终端与调训支持，确保在高速运行下的信号完整性，主要面向网络设备、嵌入式系统及工业控制等需要可靠、高速数据存取的场景。
- 型号:MT41J128M16HA-125:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（9x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:128M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:13.75 ns
- 电压 - 供电:1.425V ~ 1.575V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（9x14）
- 想获取MT41J128M16HA-125:D的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
