MT44K32M18RB-093E:B TR

MT44K32M18RB-093E:B TR是美光科技生产的一款576Mb容量并行DRAM，采用32M x 18位架构。该器件封装于168-TBGA中，适用于表面贴装工艺，其核心优势在于高达1067MHz的时钟频率和仅8ns的访问时间，能够为系统提供极高的数据吞吐率和快速响应能力。

其工作电压范围为1.28V至1.42V，在实现高性能的同时优化了功耗表现。该芯片设计工作温度范围为0°C至95°C（TC），确保了在多种环境条件下的可靠性。这些参数使其成为网络设备、高端图像处理及工业控制等需要高速、大容量临时数据存储应用的理想内存解决方案。

• 型号:MT44K32M18RB-093E:B TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:168-BGA（13.5x13.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 576MBIT PAR 168BGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:DRAM
• 存储容量:576Mb
• 存储器组织:32M x 18
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.066 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:8 ns
• 电压 - 供电:1.28V ~ 1.42V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:168-TBGA
• 供应商器件封装:168-BGA（13.5x13.5）
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