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MICRON
MT40A512M8SA-062E IT:F的图片

MT40A512M8SA-062E IT:F

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
原厂封装:封装:78-FBGA(7.5x11)
优势价格,MT40A512M8SA-062E IT:F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT40A512M8SA-062E IT:F的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT40A512M8SA-062E IT:F是美光科技推出的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片,采用512M x 8的并行架构。该器件基于DDR4技术标准,运行时钟频率高达1.6GHz,可实现每秒3200兆次传输(MT/s)的高数据吞吐率,显著提升系统内存带宽。

其核心优势在于优异的能效与可靠性。工作电压范围为1.14V至1.26V,在提供高性能的同时有效控制功耗。器件支持-40°C至95°C的宽工作结温范围,并集成高级电源管理功能,确保在苛刻环境下稳定运行。采用78-TFBGA小型化封装,适合空间受限的高密度表面贴装设计。

  • 型号:MT40A512M8SA-062E IT:F
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:78-FBGA(7.5x11)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:1.6 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:19 ns
  • 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:78-TFBGA
  • 供应商器件封装:78-FBGA(7.5x11)
  • 想获取MT40A512M8SA-062E IT:F的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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