MT40A512M8SA-062E AIT:F TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用512M x 8位组织结构和并联接口。该器件基于DDR4技术，支持高达1.6GHz的时钟频率，实现3200MT/s的数据传输速率，其1.14V至1.26V的低工作电压有助于提升能效。
该芯片提供19ns的访问时间和15ns的写周期时间，平衡了速度与响应能力。其78-TFBGA封装和表面贴装型设计适用于紧凑的电路板布局，而-40°C至95°C的宽工作温度范围确保了在苛刻工业环境中的可靠性。这些特性使其成为高性能计算、网络通信和嵌入式存储应用的理想选择。
- 型号:MT40A512M8SA-062E AIT:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:78-FBGA（7.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:19 ns
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:78-TFBGA
- 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11）
- 想获取MT40A512M8SA-062E AIT:F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
